本研究報導通過電漿增強原子層沉積技術所製備的奈米TiN覆蓋層(capping layer)，能夠有效調製ZrO2薄膜的結晶相與介電性質。如下圖所示，TiN覆蓋層(ZT樣品)誘導ZrO2薄膜發生從順電非晶相往反鐵電tetragonal結晶相的轉變；當刻蝕去除TiN覆蓋層之後(ZTe樣品)，導致ZrO2薄膜從反鐵電tetragonal結晶相往鐵電orthorhombic結晶相轉變。結果顯示，TiN覆蓋層可以在不經過高溫退火的情况下，有效調控ZrO2薄膜的反鐵電與反鐵電性質，此結果可歸因於TiN覆蓋層的沉積與去除，誘導了在ZT和ZTe樣品的ZrO2薄膜中out-of-plane壓縮應變與in-plane拉伸應變的變化，如XRD圖譜(XRD峰向2θ~30.52°移動)、inverse FFT圖譜、與奈米束電子繞射(nano electron beam diffraction, NBED)量測所示。（材料系陳敏璋教授提供） 使用TiN覆蓋層來調控ZrO2薄膜的鐵電/反鐵電性質。
本研究報導通過電漿增強原子層沉積技術所製備的奈米TiN覆蓋層(capping layer)，能夠有效調製ZrO2薄膜的結晶相與介電性質。如下圖所示，TiN覆蓋層(ZT樣品)誘導ZrO2薄膜發生從順電非晶相往反鐵電tetragonal結晶相的轉變；當刻蝕去除TiN覆蓋層之後(ZTe樣品)，導致ZrO2薄膜從反鐵電tetragonal結晶相往鐵電orthorhombic結晶相轉變。結果顯示，TiN覆蓋層可以在不經過高溫退火的情况下，有效調控ZrO2薄膜的反鐵電與反鐵電性質，此結果可歸因於TiN覆蓋層的沉積與去除，誘導了在ZT和ZTe樣品的ZrO2薄膜中out-of-plane壓縮應變與in-plane拉伸應變的變化，如XRD圖譜(XRD峰向2θ~30.52°移動)、inverse FFT圖譜、與奈米束電子繞射(nano electron beam diffraction, NBED)量測所示。（材料系陳敏璋教授提供）
使用TiN覆蓋層來調控ZrO2薄膜的鐵電/反鐵電性質。