為了符合應用的需求，混摻是一種被廣泛運用於提升有機場效電晶體載子傳輸性質的策略，依其組成成分，可為(非)共軛高分子及(非)共軛小分子間的排列組合。然而，結構相似的高分子與小分子的協同效應鮮少被研究。鑒於此，本工作合成了共軛小分子N,N’-bisbutyl-2,6-bis([2,2’]bithiophenyl-5-yl)-1,4,5,8-naphthalene diimide (M) 並和P(NDI2OD-T2) 進行混摻。M依其與P(NDI2OD-T2)單體的結構高度相似而使整體系統有好的相容性（如圖一示意），進而保存晶區與非晶區間的電性耦合，更可透過混摻比例調控薄膜形貌，建立起薄膜中有效的電荷傳遞通道。總體而言，此策略可提升電子遷移率達0.3 cm2 V−1 s−1，更降低載子注入勢壘促使閾值電壓下降50%（圖二）。對於依「相容性原則」提升有機場效電晶體的策略，本工作給予了強有力的支持。（高分子所賴育英教授提供）
圖一、利用相容性原理促進電子傳導之示意圖。P(NDI2OD-T2)和共軛小分子M的化學結構。
圖二、a) 有機場效電晶體飽和區之電子遷移率。b) 有機場效電晶體閾值電壓。c) 金電極與P(NDI2OD-T2) (P)、M之間的接觸機率示意圖。d) 閾值電壓與載子注射勢壘之關係圖。